Portador de grafit

Centrant-nos en camps-de gamma alta com ara semiconductors, circuits integrats i fabricació de xips, desenvolupem plaques portadores de grafit d'hòsties d'alta-puresa,-planitud i alta-estabilitat. Dissenyats específicament per a processos clau d'hòsties de 2 a 12 polzades, com ara la deposició, el gravat, el recuit i la implantació d'ions, són components bàsics que garanteixen la precisió del processament de les hòsties i la taxa de rendiment.

✅ Extrema alta puresa i baixa impuresa: fabricat amb coc d'agulla d'alta -puresa, processat per grafitització d'alta-temperatura de 3000 graus, contingut de cendres inferior o igual a 20 ppm, eliminant la contaminació d'impureses metàl·liques de les hòsties i assegurant l'estabilitat del rendiment dels xips;​

✅ Ultra-Precisió de planitud alta: mitjançant mecanitzat i rectificat CNC de precisió, error de planitud Menor o igual a ± 0,005 mm, rugositat superficial Ra Menor o igual a 0,2 μm, garantint una força uniforme i conducció de calor de les hòsties;​

✅ Forta resistència a l'-oxidació i la corrosió: adoptant una tecnologia especial de recobriment ceràmic a la superfície, resistent a 1200 graus d'alta temperatura i corrosió per plasma, vida útil 4-6 vegades més llarga que les plaques de grafit normals;

✅ Adaptació personalitzada: admet la personalització de diferents mides d'hòsties (2/4/6/8/12 polzades), distribució de forats i especificacions de gruix, compatible amb diversos equips de semiconductors com ara màquines CVD, PVD i de gravat.

Seguint els estrictes estàndards de la indústria dels semiconductors, implementem un control de qualitat refinat durant tot el procés, des de la purificació de matèries primeres, el processament d'emmotllament fins a la inspecció del producte acabat. Oferim solucions de plaques portadores de grafit fiables i eficients per a empreses globals de semiconductors, ajudant a millorar el rendiment de la fabricació de xips i l'eficiència de la producció.